上世紀60年代，bc電源插座的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，bc電源插座技術有了飛迅發(fā)展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、bc電源插座系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。功率半導體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、 IGBT、IGCT等)，使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化，并大幅度降低導通損耗，電路也更為簡單。自上世紀80年代開始，高頻化和軟開關技術的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。

上世紀90年代中期，集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(IPEM)技術開始發(fā)展，它是當今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。
關注點一：bc電源插座功率密度
　　提高bc電源插座的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備(如移動電話，數(shù)字相機等)尤為重要

關注點二：功率半導體器件性能
　　1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超級結”(Super-Junction)結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。
IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型結構應用新技術制造的IGBT，可工作于150kHz(硬開關)和300kHz(軟開關)。
　　IGBT的技術進展實際上是通態(tài)壓降，快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進程中，有以下幾種類型：穿通(PT)型、非穿通(N T)型、軟穿通(SPT)型、溝漕型和電場截止(FS)型。
　　碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是：禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。
可以預見，碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
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