dc插座：功率器件的選擇
    隨著電子器件的發(fā)展和現(xiàn)代功率電子技術(shù)的成熟，新型功率半導(dǎo)體器件越采越多，在設(shè)計中應(yīng)根據(jù)實際需要選擇合適的功率器件。
　　1）在幾百kV·A以上的大容量和超大容量的逆變電路中，開關(guān)器件主要以GT0為主，如高壓直流輸電、大型電機驅(qū)動、超大型UPS和大型化學(xué)電源，其容量都在幾百kV·A以上。但是在某些工頻場合下，有時也用SCR和TRIS，其中SCR主要還用于整流式電源設(shè)各。
　　2）在幾kV·A到幾百kV·A甚至上MV·A的中大容量的逆變器中，主開關(guān)器件將以IGBT為主，GTR雖然也已被廣泛地應(yīng)用，但是由于其具有驅(qū)動功耗大、開關(guān)速度慢和二次擊穿問題等不足，因此將逐步被IGBT和其他新型開關(guān)器件所取代。這個容量等級的逆變器最多，應(yīng)用也最普遍，如交流電機變頻調(diào)速、UPS、逆變式弧焊電源、通信開關(guān)電源、有源濾波裝置、感應(yīng)加熱等。這類逆變器的逆變頻率一般為1OW、25kHz，電源的容量密度適中，比較理想，并且噪聲也比較小。
　　3）在幾kW以下的逆變電源中，主開關(guān)器件以VMOSFET為主，逆變頻率為幾十kHz至幾百kHz，有的還高達1MHz以上。這類電源的容量密度高，噪聲很小。如小型UPS、小型變頻器、醫(yī)用電源、照明、汽車、家用電器、小型開關(guān)電源、逆變器、電磁灶等。MOSFET屬于單極型、電壓驅(qū)動控制晶體管器件。當門控電壓足夠高時，器件完全導(dǎo)通，近似于閉合開關(guān)；當門控電壓低于門閾值時，器件關(guān)斷。它不但有自關(guān)斷能力，而且有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點，常用于中低壓場合，適合本設(shè)計。
　　根據(jù)電力電子開關(guān)器件的發(fā)展和各種開關(guān)器件的性能特點，在設(shè)計逆變器電路時，對于主電路中功率開關(guān)器件的選擇一般應(yīng)該遵循以下幾個指導(dǎo)原則：
　　由于功率開關(guān)器件的性能參數(shù)對逆變電路的性能起著非常關(guān)鍵的作用，則選擇功率MOSFET時主要考慮功率管的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。功率管的靜態(tài)特性主要指功率MOSFET的輸出特性、飽和待性、轉(zhuǎn)移特性等；與靜態(tài)特性有關(guān)的參數(shù)主要有通態(tài)電阻、開啟電壓、跨導(dǎo)、最大電壓額定值和最大電流額定值。動態(tài)特性主要影響功率MOSFET的開關(guān)過程，它和GTR的開關(guān)過程相似，也分為幾個階段；但是由于功率MOSFET是單極型器件，是靠多數(shù)載流子傳導(dǎo)電流的，本身的電阻效應(yīng)和渡越效應(yīng)對開關(guān)過程的影響可以忽略不計，因此在開關(guān)工作的機理上又與GTR有較大的差別。
　　在實際應(yīng)用中，主要考慮功率開關(guān)的以下幾個參數(shù)要求：功率開關(guān)在關(guān)斷狀態(tài)時，電路中流過的電流（即漏電流ioff）這個電流應(yīng)盡量?。还β书_關(guān)在導(dǎo)通狀態(tài)時，開關(guān)的自身的電壓降（Von），這個值應(yīng)盡可能的??；功率開關(guān)從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)的時間（ton）和從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的時間（toff）盡可能??；用小的控制信號就能夠?qū)崿F(xiàn)功率開關(guān)的導(dǎo)通及關(guān)斷；功率開關(guān)即使在高速長時間反復(fù)導(dǎo)通與關(guān)斷的情況下工作，也不會損壞，也就是說要有較高的工作頻率（f）此外，體積小、重量輕、價格便宜也是設(shè)計者常常要考慮的因素。